El rendimiento y la fiabilidad de las memorias flash NAND no volátiles se deterioran a medida que aumenta el número de ciclos de programación/borrado. La fiabilidad también se ve afectada por la interferencia entre celdas, el largo tiempo de retención de datos y la perturbación de lectura. Estos procesos afectan los voltajes de umbral de lectura. El envejecimiento de las celdas provoca desplazamientos de voltaje que conducen a altas tasas de errores de bits (BER) con umbrales de lectura predefinidos fijos. Este trabajo propone dos métodos que tienen como objetivo minimizar el BER ajustando los umbrales de lectura. Ambos métodos utilizan el número de errores detectados en la palabra de código de corrección de errores. Se demuestra que el número de errores observados es una buena medida para los desplazamientos de voltaje y se utiliza para la calibración inicial de los umbrales de lectura. El segundo enfoque es un método de estimación de canal gradual que utiliza las probabilidades de error asimétricas para los errores de uno a cero y de cero a uno que son causados por errores de calibración de umbrales. Ambos métodos son investigados utilizando la información mutua entre el voltaje de lectura óptimo y los valores de error medidos. Los resultados numéricos obtenidos de mediciones flash muestran que estos métodos reducen significativamente el BER de las memorias flash NAND.